半导体器件

AON4407 分立半导体「MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN」，

AOTF3N80 分立半导体「MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F」，

AOD4504 分立半导体「MOSFET N-CH 200V 1.5A/6A TO252」，

AOB7S60L 分立半导体「MOSFET N-CH 600V 7A TO263」，

APT2X101D30J 分立半导体「DIODE MODULE 300V 100A ISOTOP」，

APT50GN120L2DQ2G 分立半导体「IGBT 1200V 134A 543W TO264」，

AOK160A60 分立半导体「MOSFET N-CH 600V 24A TO247」，

APT10035JFLL 分立半导体「MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP」，

APT2X61S20J 分立半导体「DIODE MODULE 200V 75A ISOTOP」，

APT60GT60BRG 分立半导体「IGBT 600V 100A 500W TO247」，

AU3PK-M3/86A 分立半导体「DIODE AVALANCHE 800V 1.4A，

BAP51-02,115 分立半导体「RF DIODE PIN 60V 715MW SOD523」，

BAS21-HE3-08 分立半导体「DIODE GEN PURP 200V 200MA，

BAT54WX-TP 分立半导体「DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523」，

BAS21H,115 分立半导体「DIODE GP 200V 200MA SOD123F」，

BAT43-TAP 分立半导体「DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35」，

BAS7006E6433HTMA1 分立半导体「DIODE ARRAY SCHOTTKY，

BAW101,215 分立半导体「DIODE ARRAY GP 300V 250MA SOT143」，

BD13610S 分立半导体「TRANS PNP 45V 1.5A TO126-3」，

BAV102 分立半导体「DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34」，

BAV21W-HE3-08 分立半导体「DIODE GEN PURP 200V 250MA，

BFP405H6740XTSA1 分立半导体「RF TRANS NPN 5V 25GHZ，

BCP53F 分立半导体「BCP53/SOT223/SC-73」，

BDP950H6327XTSA1 分立半导体「TRANS PNP 60V 3A SOT223」，

BSO200P03SHXUMA1 分立半导体「MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO」，

BTW68-800RG 分立半导体「SCR 800V 30A TOP3」，

BSC014N06NSTATMA1 分立半导体「MOSFET N-CH 60V 100A，

BTA12-600TWRG 分立半导体「TRIAC SENS GATE 600V 12A，

BYV29B-300-E3/81 分立半导体「DIODE GEN PURP 300V 8A，

10BQ100 分立半导体「1A, 100V, SMB, SCHOTTKY RECTIFIE」，