各向同性蚀刻与各向异性蚀刻
各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀
si深刻蚀:各向同性刻蚀
各向异性和各向同性湿法蚀刻之间的区别jpg
各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀
氧化硅各向异性刻蚀
各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀
教授邓辉研究团队提出了一种基于各向同性刻蚀轮廓包络原理的抛光技术
在硅材料刻蚀当中,硅针的刻蚀需要用到各向同性刻蚀,硅柱的刻蚀需要用
刻蚀剖面:刻蚀后图形的侧壁形状 各向同性 各向异性 各向异性对
各向异性金刚石刻蚀的研究报告
各向同性蚀刻和其对太阳能电池电特性的效应
当带有与 110
vlsi
半导体湿法化学刻蚀工艺观察
(2)sti槽刻蚀:si3n4的刻蚀菜单刻蚀硅速率过快,不好控制,需要分开刻蚀
刻蚀方法与流程
微细加工湿法蚀刻中不同蚀刻方法
进军5nm中微公司证实刻蚀机进入国际客户最先进生产线
又一国产刻蚀机企业崛起,半导体设备100%自研,打破国外垄断
一文看懂半导体刻蚀设备
sic材料的低速率浅刻蚀工艺研究
或镜面释放蚀刻工艺·正剖面和各向同性蚀刻·高深宽比(深宽比高达50
感应耦合等离子体刻蚀系统
一般是各向同性的,但特定情况下,也可以各项异性,举例如下:koh在硅上
同性刻蚀
湿式化学蚀刻方法
综述报告——刻蚀简介
详解制备高亮度led的等离子刻蚀技术
再用等离子打掉坑底的保护层打掉,再用各向同性的腐蚀气体刻蚀 |